原装DH130NG替代12N10 贴片TO-252 N沟道 100V,12A MOS管厂家直营

12N10(N沟道增强型场效应晶体管)；12N10场效应管参数；12N10场效应管封装引脚图；12N10场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：-12A，电压(VDSS)：-100V，封装形式：TO252

参数特性

* RDS(on)<0.18Ω @ VGS=10V, ID=6A

* 高切换速度

* 低栅极电荷

绝对最大额定值（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压(VGS=0)VDSS：100V

栅源电压VGSS：±20V

漏极电流持续TC=25°C ID：12A

漏极电流连续 TC=100°C ID：8.5A

功耗TO-220 PD：73W

功耗TO-251/TO-252 PD：30W

功耗 SOP-8 PD：5W

雪崩能量(注 3)EAS：100 mJ

结温TJ：+150°C

储存温度TSTG：-55~+150°C

注意：

 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.脉冲宽度受安全工作区限制

3. 启动TJ=25°C，ID=12A，VDD=50V

壹芯微（Yixin）专注二三极管MOS功率器件研发、生产、销售一体化服务，是国内知名功率半导体制造商。壹芯微产品高质量、高标准、高性价比、精益求精、品质如一，提供选型替代/免费送样/技术支持/售后服务。主要生产各式贴片/直插、肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复二极管、低压降二极管、场效应管(MOSFET)、可控硅(晶闸管)、三端稳压管(稳压电路)、桥堆等功率器件选型产品。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备等，芯片技术源自台湾，完美替代进口品牌，产品通过欧盟多个管理体系认证，应用领域广泛，优质研发技术团队为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或请致电135 3414 6615