原装DC020PG替代40P03 贴片TO-252 P沟道 -30V,-40A MOS场效应管

40P03(P沟道增强型场效应晶体管)；40P03场效应管参数；40P03场效应管封装引脚图；40P03场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：-40A，电压(VDSS)：-30V，封装形式：TO252

参数特性

先进的沟槽工艺技术

可靠且坚固

用于超低导通电阻的高密度电池设计

绝对最大额定值（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压VDS：-30V

栅源电压VGS：±20V

持续漏极电流ID①：-40A

脉冲漏极电流lDM②：-160A

单脉冲雪崩能量EAS③：200mJ

功耗PD①：75W

从结到环境的热阻RJA⑥：100°C/W

从结到外壳的热阻RJA①：1.67°C/W

工作结点和存储温度范围TJ，Tstg：-55~+150℃

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