〔壹芯〕生产IRF14040场效应管180A-40V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：IRF1404　　　　　　　极性：N

IDA(A)：180　　　　　　　VDSS(V)：40

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0037　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：106　Vgs(V)：25　Io(A)：60

封装：TO-220

知识科普

电力场效应晶体管极间电容与漏-源极电压的关系C=f(uDS)

电力MOSFET的极间电容对开关过程有直接影响，其等效电路如图1.14所示。

这些电容分为两类：CGS、CGD是由MOS结构形成的，它们的大小取决于几何形状和绝缘层的厚度，其数值很稳定，几乎不随电压和温度变化；CDS则是由PN结形成的，其大小决定于沟道面积和有关结构的反偏宽度，它将会受到电压和温度变化的影响。

在应用中，常用输入电容Cin、输出电容Co及反馈电容Crss的概念，它们与电力MOSFET极间电容的关系可参见式(1.6)~式(1.8)。它们与MOSFET漏-源极间所加电压uDS的大小密切相关。

当uDS<5V时，Crss<Cin<Co

当uDS>5V时，Crss<Co<Cin

这些电容与uDS的关系曲线如图1.15所示。

开关时间与器件的极间电容和寄生电感有关，它们之间的关系都是非线性的，因此开关时间明显地与驱动源参数和漏极负载情况有关。

测试条件不同，参数值也不同，因此要明确标出测试时的uDS、iD、驱动源内阻Z0、过驱动栅极电压uGS的脉冲参数。

电力MOSFET的开关速度几乎不随温度而变化，其动态损耗也不随温度变化，其开关速度的快慢仅与寄生电容的充放电时间相对应。

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