一文概述MOSFET场效应管六大主要参数

场效应管(MOSFET)之主要参数

一、开启电压UT：

通常情况下，刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅源电压我们称之为开启电压，用UGS(th)或UT表示，开启电压UT是增强型场效应管的参数，当栅源电压UGS小于开启电压绝对值时，场效应管则无法导通。

二、夹断电压UP(JFET)：

当UDS为某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小电流(如50mA)时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS＝UP时，漏极电流为零。

三、饱和漏极电流IDSS(JFET)

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。

四、直流输入电阻RGS：

直流输入电阻RGS是漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。

结型场效应管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。

五、跨导Gm：

漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。

六、最大漏极功耗：

最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。

壹芯微（Yixin）二极管选型品牌生产厂家，专注于二三极管功率半导体器件研发、生产、销售一体化服务，提供免费送样，选型帮助，技术支持。主要生产销售各式贴片/直插二三极管、MOS(场效应管)、肖特基二极管、快恢复二极管、低压降二极管、TVS二极管、整流二极管、可控硅(晶闸管)、三端稳压管(稳压电路)、桥堆等功率器件选型产品。壹芯微产品以高质量高标准的生产理念、精益求精品质如一的企业态度服务于大众，赢得业界内一致的好评。引进大量先进的二三极管选型封装测试全自动化设备、专业生产系列精密设备等，芯片技术源自台湾，完美替代进口品牌，产品均已通过欧盟等各大管理体系认证，应用领域广泛，优质研发技术团队为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。

如需报价或了解更多，欢迎咨询在线客服或请致电135 3414 6615