为什么三极管(BJT)的饱和区及场效应管(MOSFET)的饱和区不同

对BJT来说，饱和指的是载流子浓度，处于饱和区时，BJT的EB结和CB结均为正向状态，由于E/C的注入效率不同而形成从E到C的净流动，且Vce很小，即Ice-Vce曲线上比较陡峭的区域，作为开关应用的BJT通常工作在这个模式。而Ice-Vce曲线上比较平坦的区域为放大区或线性区，这是因为这个区域的Ice与Ibe比值近似于常数，也就是说Ice与Ibe近似为线性关系，这个模式常用于线性放大器。

对MOSFET而言，饱和指的是载流子的速度，即电压Vds增加时，载流子速度不再增加，若Vgs确定（反型层载流子浓度确定），电流Ids不再随Vds增加而增加，即MOSFET的Ids-Vds曲线中比较平坦的区域。而曲线的陡峭区，Ids近似随Vds线性变化，所以这个区域被称为MOSFET的线性区，作为开关应用的MOSFET工作在此区域。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍