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WFD4N60场效应管参数及代换 (600V,4A) WFD4N60引脚图 WFD4N60中文资料规格书(PDF)

WFD4N60.pdf 规格书下载

WFD4N60详细参数如下

极性：NPN

DrainSourceVoltage漏源电压,V_DSS：600V

GateSourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流(@Tc=25℃),I_D：4A

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流(@Tc=100℃),I_D：2.5A

TotalPowerDissipation总功耗(@Tc=25℃),P_D：80W

JunctionAndStorageTemperature结点和存储温度,T_J,T_STG：-55~150°C

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