UTT60N10MG-TN3-R替代DH012TG场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

UTT60N10MG-TN3-R(N沟道增强型场效应晶体管)；UTT60N10MG-TN3-R场效应管参数；UTT60N10MG-TN3-R场效应管封装引脚图；UTT60N10MG-TN3-R场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：60A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

* RDS(ON)≤18mΩ @VGS=10V, ID=20A

   RDS(ON)≤25mΩ @ VGS=4.5V，ID=15A

* 绿色设备可用

* 低栅极电荷

* 表面贴装封装

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压VDSS：100V

栅源电压VGSS：±20V

漏极电流连续TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 ID：60A

漏极电流连续SOP-8 ID：30A

漏极电流连续DFN5060-8 ID：40A

脉冲漏极电流（注 2）TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 IDM：100A

脉冲漏极电流（注 2）SOP-8 IDM：50A

漏极电流脉冲（注 2）DFN5060-8 IDM：67A

雪崩电流IAS：20A

雪崩能量（注3）EAS：200mJ

功耗TO-220 PD：125W

功耗TO-220F PD：30W

功耗TO-247 PD：312W

功耗TO-251/TO-252 PD：50W

功耗SOP-8 PD：6W

功耗DFN5060-8 PD：14W

结温TJ：-40~+150 °C

储存温度范围TSTG：-55~+150 °C

注意： 

1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

    绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3. L=1mH, IAS=20A, VDD=25V, RG=25Ω, 启动TJ=25°C

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