UT30P03L-TN3-T(替代原装DC033PG)-30V,-26A TO-252 P沟道MOS管

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电流(ID)：-26A，电压(VDSS)：-30V，封装形式：TO252

参数特性

* RDS(ON)≤40mΩ @ VGS=-10V, ID=-10A

* RDS(ON)≤60mΩ @ VGS=-4.5V，ID=-10A

* 低电容

* 优化栅极电荷

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

绝对最大额定值（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压VDSS：-30V

栅源电压VGSS：±20V

连续漏极电流ID：-30A

脉冲漏极电流(注 2)IDM：4A

雪崩能量单脉冲(注 3)EAS：16mJ

峰值二极管恢复dv/dt(注 4)dv/dt：1.35V/ns

功率耗散PD：50W

结温TJ：+150°C

储存温度TSTG：-55~+150°C

注意：

1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3. L=0.1mH，IAS=18A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4. ISD≤30A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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