TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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TK3P50D场效应管封装TO-252

特征

开关稳压器

(1) 低漏源导通电阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）

(2) 高前向转移导纳：|Yfs|=1.0S（典型值）

(3) 低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）

(4) 增强模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：500V

栅源电压(VGSS)：±30V

雪崩电流(IAR)：3A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：3A

漏极电流-脉冲(IDM)：6A

单脉冲雪崩能量(EAS)：81mJ

重复雪崩能量(EAR)：6mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：60W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：2.08°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：125°C/W

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