SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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SVF3N50D场效应管封装TO-252,TO-251

描述

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特性
3A，500V，RDS(on)(典型值)=2.7?@VGS=10V

· 低栅极电荷量

· 低反向传输电容

· 开关速度快

· 提升了dv/dt能力

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：500V

栅源电压(VGSS)：±30V

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：3.0A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：1.9A

漏极电流-脉冲(IDM)：12.0A

单脉冲雪崩能量(EAS)：120mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：34W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~+150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：3.7°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：62.0°C/W

热阻特性

电气参数

漏源二极管特性参数

封装外形图

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