STD80N10F7选型替代场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

STD80N10F7(N沟道增强型场效应晶体管)；STD80N10F7场效应管参数；STD80N10F7场效应管封装引脚图；STD80N10F7场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：70A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

STD80N10F7 100V 0.01Ω 70A 85W

STF80N10F7 100V 0.01Ω 40A 30W

STH80N10F7-2 100V 0.0095Ω 80A 110W

STP80N10F7 100V 0.01Ω 80A 110W

极低的栅极电荷

超低导通电阻

低栅极输入电阻

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

VDS漏源电压：100V

VGS栅源电压：±20V

ID TC=25°C时的漏极电流（连续）：70/80/40A

ID TC=100°C时的漏极电流（连续）：48/54/30A

IDM⁽¹⁾漏极电流（脉冲）：280/320/160A

PTOT TC下的总耗散=25°C：85/110/30W

Tstg储存温度：-55至175°C

Tj最大值工作结温：-55至175°C

1. 脉冲宽度受安全工作区限制。

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

销售一线：黄先生  手机：13534146615(微信同号)  QQ：2551579535

联系地址：深圳市福田区宝华大厦A1428