STD70N10F4 TO-252 MOS管100V,60A N沟道 大电流

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电流(ID)：60A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

STD70N10F4 100V<0.0195? 60A

Exceptional dv/dt capability

Extremely low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

VDS Drain-source voltage漏源电压(VGS=0)：100V

VGS Gate-source voltage栅源电压： ±20V

ID Drain current (continuous)漏极电流（连续）at TC=25°C：65/60A

ID Drain current (continuous)漏极电流（连续）at TC=100°C：46/43A

DM (1) Drain current (pulsed)漏极电流（脉冲）：260/240A

PTOT Total dissipation总耗散 at TC=25°C：150/125W

Derating factor降额系数：1/0.83W/°C

EAS (2) Single pulse avalanche energy单脉冲雪崩能量120mJ

Tstg Storage temperature储存温度：-55 TO 175°C

Tj Max. operating junction temperature最大工作结温：-55 TO 175°C

1. 脉冲宽度受安全操作区限制

2. 起始Tj=25°C，ID=32.5A，VDD=45V

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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