场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。

场效应管的品种很多，主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类，义都有N沟道和P沟道之分。 

绝缘栅场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为M()S场效应管，分为耗尽型MOS管和加强型MOS管。 

场效应管还有单栅极管和双栅极符之分。双栅场效应管具有两个相互独立的栅极G1和G2，从构造上看相当于由两个单栅场效应管串联而成，其输出电流的变化遭到两个栅极电压的控制。双腑场效应管的这种特性，在作为高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器运用时会带来很大方便。

4.2.1  怎样辨认场效应管场效应管的文字符号为“VT”，图形符号如阁4-22所示。

场效应管普通具有3个引脚，分别是栅极G、源极S和漏极D，它们的功用分别对应于双极型晶体管的基极b、发射极e和集电极c。由于场效应管的源极S和漏极D是对称的，实践运用中能够互换。双栅极场效应管具有4个引脚，分别是栅极G1，和G2、源极S和漏极D。常用场效应管的引脚如图4-23所示：运用中应留意辨认。

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