SM1A06NSU TO-252 MOS管100V 60A N沟道 大功率

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电流(ID)：60A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

100V/60A,

RDS(ON)=17mW (Max.) @VGS=10V

可靠且坚固

提供无铅和绿色器件

(符合 RoHS)

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

Drain-Source Voltage 漏源电压：100V

Gate-Source Voltage 栅源电压：±25V

Maximum Junction Temperature 最高结温：150°C

Storage Temperature Range 储存温度范围：-55 to 150°C

Diode Continuous Forward Current 二极管连续正向电流TC=25°C：30A

Continuous Drain Current 持续漏极电流TC=25°C：60A

Continuous Drain Current 持续漏极电流TC=100°C：35A 

Pulsed Drain Current 脉冲漏极电流TC=25°C：150A

Maximum Power Dissipation 最大功耗TC=25°C：113W

Thermal Resistance-Junction to Case 热阻-结到外壳TC=100°C：45W

Continuous Drain Current 持续漏极电流：1.1°C/W

Maximum Power Dissipation 最大功耗TA=25°C：8.2A

Thermal Resistance-Junction to Ambient 热阻-结到环境TA=70°C：6.6A

Avalanche Current, Single pulse 雪崩电流，单脉冲L=0.5mH：26A

Avalanche Energy, Single pulse 雪崩能量，单脉冲L=0.5mH：169mJ

注a：脉宽受最大限制。结温。

注 b：经过 UIS 测试，脉宽受限于最高结温 150oC（初始温度 Tj=25oC）。

注c：1in2表面贴装垫区。

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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