三极管与「MOS场效应管」作为开关管使用应该如何选型-壹芯微

电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。本文以此题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。

三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处，在选型时需要考虑耐压、电流等参数。

（1）根据最大耐压选型

三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。

MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压，MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。

（2）最大过电流能力

三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力用ID来表示。电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件被烧坏。

从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。

（3）工作温度

商业级芯片：一般范围为0至+70℃;

工业级芯片：一般范围为-40至+85℃;

军工级芯片：一般范围为-55℃至+150℃;

要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

（4）根据开关频率选择

三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。

（5）其他选型条件

如MOS管的导通电阻Ron参数，MOS管的VTH开启电压等。

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