三极管的导通条件介绍

NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域:  

1.截止区：

其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。  

2.放大区：

其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE （即UC>UB>UE）。此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对 iC的控制作用，IC=?IB。在理想情况下 ，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）

3.饱和区：

其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE>UON且 UCE<UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC<?IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。

在模拟电路中，绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。

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