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SiHFR320场效应管参数及代换 (400V,3.1A) SiHFR320引脚图 SiHFR320中文资料规格书(PDF)
SiHFR320.pdf 规格书下载
SiHFR320详细参数如下
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 400 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | V |
雪崩电流 | IAR | 3.1 | A |
栅极-源极电压 | ID | 3.1 | A |
漏极电流-脉冲 | IDM | 12 | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 160 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | 4.2 | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | 4 | V/ns |
功耗,TC = 25 °C | PD | 42 | W |
功耗,TA = 25 °C | 2.5 | ||
结温 | TJ | 150 | °С |
工作温度 | TOPR | -55~+150 | °С |
储存温度 | TSTG | -55~+150 | °С |
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