来源：壹芯微 发布日期
2021-07-10 浏览：-SI2302 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
N沟道增强型场效应晶体管
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 质量放心 免费样品 欢迎咨询
| 参数\型号 | SI2302 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 2.5 | ||
| VDSS(V) | 20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.06 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | ||
| VGS(th):(V) | 0.65~1.2 | ||
| Gfs(min):(S) | 8 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 5 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 2.5 | ||
| 封装 | SOT-23 |
工作原理
结型场效应三极管的结构与绝缘栅场效应三极管相似，工作机理也相同。结型场效应三极管的结构如图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
N沟道JFET当VDS=0时， VGS对沟道宽度的影响，当PN结 反向偏置时，阻挡层宽度增大，主要向低掺杂N区扩展。当VDS=0时，VGS越负，响应的阻挡层越宽，沟道就窄，沟道的导电能力就越差，直到VGS=VGS(off)时，两侧阻挡层相遇，沟道消失。
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【本文标签】：SI2302 SI2302 SOT-23 SI2302 MOS管 SI2302场效应管
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