SI2302功率场效应晶体管 参数规格 中文资料
功率场效应晶体管,3A I(D),20V,0.072ohm,1 元件,N 沟道,硅,金属氧化物半导体 FET,无铅,塑料封装-3
参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.32 |
Samacsys Description | MOSFET 20V 3A |
Samacsys Manufacturer | Micro Commercial Components (MCC) |
Micro Commercial Components (MCC) | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.072 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
常用场效应管型号
<壹芯微科技>专注二三极管领域研发制造,针对二三极管作出了良好的性能测试,产品广泛应用于电源、LED照明、光伏、仪表仪器、数码产品、各种小家电等领域。如果您遇到需要帮助解决的问题,可以点击页面右侧咨询工程师、或销售经理为您提供精准的产品报价与介绍。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号