来源：壹芯微 发布日期
2021-07-09 浏览：-SI2300 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
SI2300（N沟道增强型场效应晶体管）
品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 优质现货 质量放心 高性价比
| 参数\型号 | SI2300 | ||
| 极性 | N | ||
| ID(A) | 3.8 | ||
| VDSS(V) | 20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.04 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | ||
| VGS(th):(V) | 0.6~1.5 | ||
| Gfs(min):(S) | 13 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 15 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 2.9 | ||
| 封装 | SOT-23 |
增强型MOS(EMOS)场效应管根据图，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。
工作原理
沟道形成原理
当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
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【本文标签】：SI2300 SI2300 SOT-23 SI2300 MOS管 SI2300场效应管
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