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型号：SI2300；极性：N沟道；ID/VDSS：3.8A/20V；封装：SOT-23

SI2300采用先进的沟槽工艺技术，用于超低导通电阻的高密度电池设计，高功率和电流处理能力，锂离子电池组应用的理想选择包装尺寸。

产品参数概要

· VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0A

· VDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0A

· VDS=20V,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：20v

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±10v

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：3.8A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 70℃）：15A

· Power Dissipation（功率损耗Pd 25℃）：1.25W

· Power Dissipation（功率损耗Pd 70℃）：1W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微SI2300数据手册下还有热特性和静态特性等，建议自行阅读观看。

SI2300,SOT23数据手册(查看下载)

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