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三管MOS DRAM基本单元电路原理介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2023-02-07 浏览:-

一、三管MOS DRAM基本单元电路原理
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如果需要读出数据,首先需要给T4加上一个预充电信号,然后VDD给读数据线充电,代表需要读出的数据是“1”,进行读出时,读选择线是高电平。此时,如果原来存储在电容里面的数据是“0”,则电容为低电平,不带电,那么T1并不会接通。因此此时存的数据是“0”,读出的数据却是“1”。//相反,如果存的数据是“1”,那么T1管就会接通,T1、T2导通接地,所以此时读数据线为低电平,读出的数据就是“0”,。这就是“读出与原存信息相反”,因此需要在读数据线输出端加一个与门。

如果需要写入数据,写选择线为高电平,T3管接通,写数据线若是高电平,就会给Cg充电,写入数据“1”,如果写数据线是低电平,则Cg会通过T3管放电,存入的数据是“0”。这就是“写入与输入信息相同”。

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