普通硅二极管与肖特基二极管的区别知识介绍

肖特基二极管以其发明者肖特基博士的名字命名，SBD是肖特基势垒二极管的缩写。 SBD不是通过使用在P型半导体和N型半导体之间形成PN结的原理来制造的，而是通过使用通过金属和半导体之间的接触而形成的金属-半导体结的原理来制造的。因此，SBD也被称为金属半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是热载流子二极管。 SBD具有开关频率高，正向电压降低的优点，但其反向击穿电压较低，大多不高于60V，最高仅为100V左右，限制了其应用范围。 因此，让我们看一下肖特基二极管和普通硅二极管之间的区别。

有所不同的是，普通硅二极管的耐压更高，但其恢复速度却很低，并且只能用于低频整流。如果是高频，则由于无法快速恢复而将发生反向泄漏，并最终导致电子管严重过热而损坏; 肖特基二极管通常具有低耐压，但其恢复速度很快，可用于高频应用。 因此，开关电源使用这种类型的二极管作为整流器输出。但是，开关电源上的整流管的管温仍然很高。

除了型号以外，普通的硅二极管和肖特基二极管通常在外观上没有差异，但是可以测量正向压降来产生差异。直接使用数字万用表测量高于0.5V的普通二极管，以及低于0.3 V的肖特基二极管，当电流大时，普通二极管约为0.8V，肖特基二极管低于0.5V;此外，肖特基二极管的耐压通常低于100V，没有一个高于150V。

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