NVD5862NT4G场效应管参数及代换,NVD5862NT4G中文资料规格书

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NVD5862NT4G描述与特性

汽车功率MOSFET。60V，98A，5.7mΩ，单N沟道，DPAK通过AEC-Q101认证的MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

• 低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗

• 高电流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101 认证和 PPAP 能力

• 这些器件无铅、无卤素/无 BFR 且符合 RoHS

合规

NVD5862NT4G最大额定参数 TC=25°C，除非另有说明。

参数/符号/数值/单位

Drain−to−SourceVoltage漏源电压 VDSS：60V

Gate−to−SourceVoltage栅源电压VGS：20V

ContinuousDrainCur-rent连续漏极电流(TC=25°C) ID：98A

ContinuousDrainCur-rent连续漏极电流(TC=100°C) ID：69A

PowerDissipation功耗(TC=25°C) PD：115W

PowerDissipation功耗(TC=100°C) PD：58W

OperatingJunction and StorageTemperature工作结点和存储温度 TJ, Tstg：−55 to 175°C

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