MOS管识别以及MOS管与IGBT管的辨别

MOSFET类型识别小结

1）P沟道与N沟道的识别。

MOS管识别，MOSFET在导通时，传输电流的层为P沟道的，则为P沟道MOSFET；传输电流的层为N沟道的，则为N沟道MOSFET。

从原理图中看的话，可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。

从代表符号上来识别的话，则是可以看中间短线上的箭头方向，向内则为N沟道，向外则为P沟道。（想象PN结的指向，P在箭尾，N在箭头，靠近短线的则表明其属性）

2）耗尽型与增强型的识别。

由于MOSFET的导电能力就是在导电沟道形成的时候才具备的，形成沟道则认为其导通，沟道消失则认为其断开，沟道形成与断开均受VGS的控制。耗尽型MOSFET表示，其沟道在不加电压Vgs的时候，是存在的，可以理解为常闭开关。但是在满足控制要求的电压后，则为断开。Vgs的作用就是通过电压，使沟道中的多子消散，从而使导电沟道中断，电流无法流通，开关断开。

加型MOSFET则表示，其沟道在不加电压Vgs的时候，是不存在的，即理解为常开开关。但是在满足控制要求的电压后，则为闭合。Vgs的作用就是通过电压，使沟道中的多子汇聚，从而形成导电沟道，电流可以流通，开关闭合。从代表符号上识别的方法，则看中部与门极紧邻的线为三条断线还是一条长线。三根断线则表示沟道本来不存在，本来为断开，加Vgs后才可闭合，因此为增强型MOSFET，如图1中的所示；一条长线则表示，沟道本来就存在，可以导电，加Vgs后才断开，因此为耗尽型MOSFET，如图2 中所示。

3）源极漏极的识别。

无论N沟道还是P沟道的MOSFET，符号中，与中间短线连在一起的为源极，另一极为漏极。

图1   N沟道与P沟道MOSFET原理示意图与对应符号

图2 耗尽型MOSFET原理图及其代表符号

4）二者使用中的区别（仅针对增加型MOSFET）。

MOS管好坏的判别方法

对于NMOS管：

先把MOS管的G极和S极短接（用镊子夹一下就行了），然后测量D极和S极的电阻。测试时电流从S极流到D极，即红笔接S极，黑笔接D极，这个时候测出来的电阻和正常MOS管测出来的做对比，如果差太大，那肯定就是烧了。如果表笔接反了，正常的MOS管测出来的电阻是断路。（二极管存在的缘故）如果MOS管过压，一般会造成三端短路，功率电压进入G极，烧掉前面的栅极驱动芯片。如果MOS管过流，则一般烧断路。对于PMOS管，则相反，依据二极管的方向

a) N沟道MOSFET的电流流向为由D-->S，P沟道的电流流向为S-->D；

b) N沟道MOSFET要使N沟道中多子--电子汇聚，因此门极应为正电压，方可异性相吸，因此，Vgs为正电压。具体阀值电压请查看其datasheet。P沟道MOSFET要使P沟道中多子--空穴汇聚，因此门极应为负电压，方可异性相吸，因此，Vgs为负电压。具体阀值电压请查看其datasheet。

如何辨别MOS管的三个极：MOS管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。

1.判断栅极G

MOS管识别，MOS管驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。

MOS管识别，将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。

2.判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

MOS管和IGBT管的辨别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样，IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应，IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应，对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。

静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大，Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大，即Rgc=Rge=无穷大，而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce=无穷大，Rec=几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量得阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。

动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压，是场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds=Rsd≈0，而Rce之间呈现电阻Rce，晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT管。

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