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mos管场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

MOS管二级效应

MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。

背栅效应

在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS≤0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS≥0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化。这一效应称为“背栅效应”。

以NMOS管为例，当NMOS管VBS<0时，阈值电压的变化规律。随着VGS上升，栅极吸引衬底内部的电子向衬底表面运动，并在衬底表面产生了耗尽层。当VGS上升到一定的电压——阈值电压时，栅极下的衬底表面发生反型，NMOS管在源漏之间开始导电。

阈值电压的大小和耗尽层的电荷量有关，耗尽层的电荷量越多，NMOS管的开启就越困难，阈值电压——也就是开启NMOS需要的电压就越高。当VBS<0时，栅极和衬底之间的电位差加大，耗尽层的厚度也变大，耗尽层内的电荷量增加，所以造成阈值电压变大。随着VBS变小，阈值电压上升，在VGS和VDS不变的情况下，漏极电流变小。因而衬底和栅极的作用类似，也能控制漏极电流的变化。所以我们称它为“背栅”作用。

在电路设计上可采取一些措施来减弱或消除衬偏效应，例如把源极和衬底短接起来，当然可以消除衬偏效应的影响，但是这需要电路和器件结构以及制造工艺的支持，并不是在任何情况下都能够做得到的。例如，对于p阱CMOS器件，其中的n-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的p-MOSFET则否；对于n阱CMOS器件，其中的p-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的n-MOSFET则否。

另外可以改进电路结构来减弱衬偏效应。例如，对于CMOS中的负载管，若采用有源负载来代替之，即可降低衬偏调制效应的影响（因为当衬偏效应使负载管的沟道电阻增大时,有源负载即提高负载管的VGS来使得负载管的导电能力增强）。

沟道长度调制效应

MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。

当MOS管工作在饱和区，导电沟道产生夹断，沟道的长度从L变成了L’，L’

此时电流公式改写为：

我们采用一个简单的参数λ来表示VDS对漏极电流ID的影响，定义：

由此可以得到考虑了沟道长度调制效应的MOS管饱和区的电流公式：

由于λ∝1/L，对于长沟道的器件而言（例如L>10um）， λ的数值很小，λVDS<<1，所以这个误差可以忽略。而沟道越短，这个误差就越大。事实上，对于短沟道的MOS管，用一个简单的参数λ来体现沟道长度调制效应是非常不准确的。因而我们有时会发现，电路

电路仿真的结果和用公式计算出来的结果完全不同。所以说一阶的近似公式更主要的是起到电路设计的指导作用。

亚阈值效应

在前面对MOS管导电原理的分析中，我们认为当栅源电压VGSVTH，沟道内就出现了电流。而实际情况并不是这样。即使在VGS

来表示。其中ID0是和工艺有关的参数，η是亚阈值斜率因子，通常满足1<η<3。当VGS满足的条件时，一般认为MOS管进入了亚阈值区域.

当时，称MOS管工作在强反型区。

当时，时称MOS管工作在强反型区。

强反型区和弱反型区的划分其实也是对MOS管实际工作特定的一种近似，只是它比前面讲到的MOS管的一阶近似更加准确。从公式上分析，强反型区和弱反型区之间同样存在着电流不连续的问题。为了解决这一问题，也是为了建立更精确的MOS管模型，在这两个区之间又定义了中等反型区。

对于斜率因子η的解释要从MOS管的电流变化讲起。表征亚阈值特性的一个重要参数是栅极电压的变化幅度，也就是MOS管从电流导通到电流截止时所需要的栅极电压的变化量。这一特性用亚阈值斜率S来表示。S定义为亚阈值电流每变化10倍（一个数量级）所要求栅极电压的变化量。S越小意味着MOS管的关断性能越好。

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