MOS管350V 6035A N沟道MOS管规格书封装
MOS管350V-6035A 11A/350V产品概述
这款功率MOSFET是使用半导体先进的平面条纹DMOS技术制作的。这个先进的技术是为电阻最小转态而特别定制的,提供优越的开关性能,它能承受雪崩和交流模式下的高能脉冲。这款设备非常适合于高效率的开关电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑。
MOS管350V-6035A 11A/350V产品特征
RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.
低栅极充电(典型15nC)
耐用性高
快速切换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力
MOS管350V-6035A 11A/350V产品主要参数
MOS管350V-6035A 11A/350V产品封装图
MOS管350V-6035A 11A/350V产品规格书
查看规格书及附件,请点击下图。
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深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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