MOSFET与BJT区别

MOSFET是电压驱劢，双极型晶体管（BJT）是电流驱劢。

（1）只容许从信号源叏少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。

（2）MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。

（3）有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。

（4）MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。

（5）MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大。

（6）MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。

MOSFET与IGBT区别

IGBT芯片=MOSFET+BJT。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效管）组成的复合功率半导体，兼备了双极型晶体管的高耐压和MOSFET输入抗阻高的特性，因此IGBT适用于高电压、大电流场合。

MOSFET与IGBT区别：电压需求

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