MOSFET-MOSFET及符号图文解析

MOSFET与符号详解,MOSFET是很常用的一个器件，可以起到“导通”“截止”的状态，大量的用在电源处理中。先从量上来说，NMOS器件是比PMOS要更常见，因为PMOS开关慢，电压高，很费劲。如果能找到源栅漏这几个标注，可以通过寄生二极管的方向来做判断。

今天写一下，MOS管电路符号和寄生二极管方向，和半导体类型的对应关系。

NMOS和PMOS，都是MOS管的一种类型。MOS，叫金属氧化物半导体。

氧化物是一个绝缘介质，氧化物上下两侧都是金属，那就是一个电容。

氧化物其中一侧是半导体，另一侧是金属，其实也是一个电容。

如果给MOS的M金属侧加正电荷，那挨着介质的一侧就会被感应出负电荷。

一般半导体是一个体结构，标注为block，B，看电路符号都是有个箭头，那个箭头表示了电子被感应的方向。上图金属正电荷，在介质靠近金属的地方，感应出很多电子。

继续设计这个结构，两侧做成n型半导体，n型半导体里边是有自由电子。MOS管加电压，感应吸附自由电子靠近氧化物，这些自由电子就把两侧的n型半导体导通了的。

金属氧化物半导体，不加电，两侧半导体不导通。

MOS，控制两侧N型半导体是否导通，这是个NMOS，那底下的衬底就要做成P型半导体。在电路符号里，就会看到这么标注。

衬底做成P型，是在无电压的情况下，源和漏是一对儿背靠背的二极管，能够稳定截止。

综合一下，NMOS的电路符号是这样的。

一般咱们适用的MOS管，并不会做成四个电极，而是会吧体电极与源合并。

小结一下NMOS：

① MOS中金属加正电压，底部感应出电子

② 自由电子，导通两侧的n型半导体

③ 零电压时，源漏之间是反向截止二极管。

同理，下图PMOS

① MOS中金属加负电压，底部感应出空穴，（下头的箭头，是电子的方向，空穴流向氧化物边缘，电子则会远离）

② 空穴增多，导通两侧的p型半导体，（P型半导体也是有空穴）

③ 零电压时，源漏之间是反向截止二极管。（PMOS源漏之间的电压和PN结的电压，通通都和NMOS反向。依然是截止。）

但凡可以看到源漏标注，就可以通过寄生电压的方式来判别是nmos还是pmos。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍