MOS场效应管防反保护解析

NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VGS间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

PMOS场效应管防反保护如下图所示：

PMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VSG间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VSG电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

由于场效应管的加工工艺导致NMOS管的导通电阻比PMOS的小，所以最好选用NMOS。

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