「MOS场效应管」的驱动电路作用及相关知识-壹芯微

你知道什么是MOS(场效应管)驱动电路吗？有什么作用？现在的MOS管驱动，有几个特别的需求

一、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

二、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS 管工作良好，而输入电压降低的时候 gate 电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

三、双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的 MOS 管，同时高压侧的 MOS 管也同样会面对 1 和 2 中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的 MOS 驱动 IC，似乎也没有包含 gate 电压限制的结构。

MOS驱动有如下的特性：

(1)用低端电压和PWM驱动高端MOS管

(2)用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管

(3)gate电压的峰值限制

(4)输入和输出的电流限制

(5)通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗

(6)PWM信号反相，NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

以上就是MOS 管驱动电路的解析，希望能给大家帮助。

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