〔壹芯〕生产MMBTA92晶体管,参数达标,质量稳定
晶体管(TRANSISTORS)
型号:MMBTA92 极性:PNP
IC(mA):500 BVCBO(V):300
BVCEO(V):300 HFE MIN:100 MAX:200
VCE(sat) (V):0.2 IC(mA):20 IB(mA):2
封装:SOT-89 TO-92
电力场效应晶体管的换流安全工作区
在电力MOSFET换流过程中,当器件体内反并联二极管从导通状态进入反向恢复期时,如果漏极电压上升率duDS/dt过大,则很容易造成器件损坏。
二极管反向恢复期内漏-源极的电压上升率又称为二极管恢复duDS/dt耐量。二极管恢复duDS/dt耐量是电力MOSFET可靠性的一个重要参数。
电力MOSFET体内反并联二极管在关断过程中存在反向恢复时间。图[1.20]所示为二极管反向恢复期的电压和电流波形。
由图可见,在反向恢复期内,二极管要承受漏-源极间迅速上升的电压变化duDS/dt,同时又有反向恢复电流流过。这将使电力MOSFET中的寄生双极型晶体管开通,导致其产生类似二次击穿的雪崩现象,从而缩小电力MOSFET的安全工作区。
电力MOSFET的实际应用中,栅-源极间阻抗、器件结温和电路引线电感等也会对CSOA造成影响。
(1)栅-源极间电阻RGS或电感LGS的影响
如果RGS或LGS过大,由于二极管反向恢复产生的duDS/dt,可能使uGS>UGS(th),从而使电力MOSFET导通。虽然有时不能使电力MOSFET导通,但是可使其进人放大状态,延缓二极管反向恢复时间。
图[1.20(a)]、[(b)]分别示出了栅-源极间电阻RGS为10Ω和100Ω情况下,功耗增加时反向恢复期间的电压、电流波形。由图可见,RGS值较大时,二极管反向恢复时间较长。
在这种情况下运行时,虽反向恢复期间功耗增加,但因漏-源极电压峰值较低,故可避免电力MOSFET的过电压击穿。
(2)结温的影响
实验证明,电力MOSFET的结温对CSOA没有直接影响,但是器件的漏-源极电压和电流直接受结温高低的影响。最终结果是结温升高,CSOA曲线向缩小的方向变化。
(3)线路引线电感的影响
电路中的引线电感在二极管反向恢复过程中会产生反电动势,使器件承受很高的峰值电压。二极管换向电流上升率越快或引线电感越大,器件承受的峰值电压越高。过高的电压使对器件CSOA的要求更加苛刻。
为此,应尽量缩短电路引线,以便使引线电感减到最小值。实际使用中,引线电感可限制在100~200nH范围内。
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