〔壹芯〕生产MMBT3904,MMBT3906晶体管,参数达标,质量稳定

晶体管(TRANSISTORS)

型号：MMBT3904　　　　　　极性：NPN

IC(mA)：200　　　　　　　　BVCBO(V)：60

BVCEO(V)：40　HFE　MIN：100　MAX：300 

VCE(sat)　(V)：0.3　IC(mA)：50　IB(mA)：5

封装：SOT-23 TO-92

型号：MMBT3906　　　　　　极性：PNP

IC(mA)：200　　　　　　　　BVCBO(V)：40

BVCEO(V)：40　HFE　MIN：100　MAX：300 

VCE(sat)　(V)：0.3　IC(mA)：50　IB(mA)：5

封装：SOT-23 TO-92

知识科普

电力场效应晶体管的安全工作区

电力MOSFET没有二次击穿问题。具有非常宽的安全工作区(SOA)，特别是在高电压范围内，但是电力MOSFET的通态电阻R_on。比较大，所以在低压部分不仅受最大电流的限制，还要受到自身功耗的限制。

(1）正向偏置安全工作区

电力MOSFET的正向偏置安全工作区(FBSOA)如图[1.16]所示。

它是由四条边界极限曲线所包围的区域。这四条边界极限曲线是：最大漏源极电压线I、最大漏极电流线Ⅱ、漏-源极通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ。

最大功耗的限制曲线和GTR相同，是由器件的热响应特性、最大允许结温和最大热阻抗共同决定的，对应不同的工作时间有不同的耐量，时间越短，耐量越大。

图1.16示出了五种情况：直流DC、脉宽10ms、脉宽1ms、脉宽100us、脉宽10us。和GTR的安全工作区相比，有两点明显的不同：一是电力MOSFET无二次击穿问题，故不存在二次击穿功率Psa限制线；二是GTR饱和压降很小，自身导通功耗低，所以最大电流限制线一直延伸到纵坐标处，而电力MOSFET的通态电阻较大，自身导通功耗也较大，所以在低压侧不仅受最大漏极电流的限制，而且受到通态电阻R_om的限制。

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