壹芯微研发生产直销「MBR40150CT/FCT」双二极管，V_RRM:150V，I_F(AV):40A，封装TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247，高质量，高标准，选型定制，样品申请，在线询价

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MBR40150CT.数据表(PDF):查看下载

(40A肖特基势垒整流器)

主要参数

VRRM(Vpk): 150

IF(A_AV): 40

IFM(Surge)(Apk): 400

IR@VRRM(UAds): 5.0

VF@IF(Apk): 40

VE@IF(Vpk): 0.90

PAKAGE: TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247

产品描述

MBR系列肖特基势垒整流器是旨在满足商业的一般要求通过提供高温、低泄漏的应用和低VF产品。适用于高频开关电源电源、续流二极管和极性保护二极管。

产品特性

低功耗，高效率。

高浪涌容量

用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。

金属硅结，多数载流子传导。

高电流能力，低正向压降。

保护环用于过压保护。

肖特基势垒

肖特基势垒金属及n型半导体的能带结构如图8-2[a]所示。金属的功函数大于半导体的功函数，即Wm＞Ws。半导体的费米能级高于金属的费米能级，即EFs＞EFm，它们具有共同的真空静止电子能级E0。当把金属和半导体电连接成一个系统时，由于EFs＞EFm，所以半导体中的电子将流向金属，使金属表面带负电荷，半导体表面带等值的正电荷，系统保持电中性，导致金属的电势Vm降低，半导体内的内建电势Vbi升高，其内部的电子能级及表面的电子能级随之发生相应的变化，最后达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一水平上。金属和半导体之间的电势能变化完全补偿了原来费米能级的差异，半导体的费米能级相对于金属的费米能级下降了(Wm-Ws)，如图8-2[b]所示。随着金属与半导体之间距离d的减小，接触面积增大，金属表面负电荷密度增加，半导体表面的正电荷密度也随之增加，在半导体表面形成的空间电荷区也增宽。由空间电荷区电场引起的能带弯曲加大，半导体表面与内部之间的电势差也加大。金属电势与半导体电势之差称为接触电势差Vms，其一部分降落在空间电荷区(记为Vbi)，另一部分降落在金属与半导体表面之间的间隙上(记为VG)。接触电势差Vms为

当金属与半导体接触不是很紧密时，即间隙距离较大、接触面积较小时，空间电荷区的电势差很小，接触电势差Vms主要降落在金属与半导体表面之间的间隙上。如图8-2（c）所示，当距离d减小到可以与原子间距相比较，全部面积紧密接触时，电场增强，金属的电势Vm降低，半导体的电势Vbi升高，其电势能差距变得很小，Wm与Ws很接近。在极限情况下，间隙电势差VG可以被忽略，电子就可自由穿过间隙。由式（8-6）可知，此时接触电势差Vms等于空间电荷区的电势差Vbi，接触势垒高度为qVbi。这里的Vbi也称表面势。

图8-2 金属与n型半导体接触所形成的肖特基势垒

上面所讨论的金属与半导体之间的接触通常称为肖特基接触，其接触势垒通常称为肖特基势垒。

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