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晶体三极管8050与8550对管的参数

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-02-27 浏览:-

晶体三极管8050与8550对管的参数

三极管

图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列

三极管

图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列

8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数:

耗散功率0.625W(贴片:0.3W)

集电极电流0.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档

放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数:

耗散功率1W

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ

放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档

放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300

8050SS 8550SS 参数:

耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档

放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400

引脚排列有EBC ECB两种

SS8050 SS8550 参数:

耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档

放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300

引脚排列多为EBC

UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC

8050S 8550S 引脚排列有ECB

这种管子很少见

参数:

耗散功率1W

集电极电流0.7A

集电极--基极电压30V

集电极--发射极击穿电压20V

特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出

放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档

C:120-200 D:160-300 E:280-400

NEC的8050

最大集电极电流(A):0.5 A; 

直流电增益:10 to 60; 

功耗:625 mW; 

最大集电极-发射极电压(VCEO):25; 

频率:150 MHz .

其它的8050

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍


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