关于负载开关ON时的浪涌电流

负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。

这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。

浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。

浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。

而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。

负载开关等效电路图

关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施

Nch MOSFET负载开关等效电路图

Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03

VIN=5V, IO=1A,　Q1_1G=1V→12V

Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）

Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。

Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

关于负载开关OFF时的逆电流

即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。

输入VI侧比输出VO侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。

要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。

关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。

负载开关等效电路图

壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售，20年行业经验，拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等，研发技术、芯片源自台湾，专业生产流程管理及工程团队，保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命，实现高度自动化生产，大幅降低人工成本，促进更好的性价比优势！选择壹芯微，还可为客户提供参数选型替代，送样测试，技术支持，售后服务等，如需了解更多详情或最新报价，欢迎咨询官网在线客服！

手机号/微信：13534146615

QQ：2881579535