静电感应晶体管原理介绍

静电感应晶体管（SIT）是什么

它是一种多子导电的单极型器件，通过检测外部静电场的变化来控制电路的开关。当外部静电场发生变化时，晶体管内部的电子流会发生变化，从而改变晶体管的电阻值，从而控制电路的开关，具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。

静电感应晶体管（Static Indution Transistor，SIT） 是由日本东北大学西泽润一教授提出的，于上世纪七十年代初期由日本研制成功12］。SIT是静电感应器件的一种，也是唯一具有类真空三极管特性的半导体器件1［13），分为常开型和常关型。SIT具有节能和低功耗的优势，被广泛应用于高频感应加热、超声波清洗、大型电源等领域。

常见的静电感应晶体管型号有2N3819、2N3904、2N3906、2N4401、2N4403、2N5401、2N5551等。

静电感应晶体管（SIT）原理：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，SIT导通;当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生（ch δ nshe ng）耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏源间导电沟道变窄。当UGS=UP（夹断电压）时，导电沟道被耗尽层所夹断，SIT关断。SIT的漏极电流ID不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制。

和双极型晶体管相比，SIT具有以下的优点：

（1）线性好、噪声小。用SIT制成的功率放大器，在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。

（2）输入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成OTL电路。

（3）SIT是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。

（4）它是一种多子器件，在大电流下具有负温度系数，器件本身有温度自平衡作用，抗烧毁能力强。

（5）无二次击穿效应，可靠性高。

（6）抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。

静电感应晶体管的制作工艺介绍

静电感应晶体管的制作工艺主要包括晶体管的制备、晶体管的封装、晶体管的测试和晶体管的安装等步骤。

首先，晶体管的制备需要将原材料进行熔融，然后将熔融的原材料放入模具中，再将模具中的原材料进行热处理，最后将热处理后的原材料切割成晶体管。

接下来，晶体管的封装需要将晶体管放入封装模具中，然后将封装模具中的晶体管进行热处理，最后将热处理后的晶体管封装成完整的晶体管。

接着，晶体管的测试需要使用测试仪器对晶体管进行测试，以确保晶体管的性能符合要求。最后，晶体管的安装需要将晶体管安装在电路板上，以便晶体管能够正常工作。

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