IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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IRFR420A场效应管封装TO-252,TO-251

特征

• 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求

• 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性

• 充分表征电容和雪崩电压和电流

• 指定有效成本

• 材料分类：用于合规性定义

应用

• 开关电源(SMPS)

• 不间断电源供应

• 高速电源切换

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：500V

栅源电压(VGSS)：±30V

雪崩电流(IAR)：2.5A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：3.3A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：2.1A

漏极电流-脉冲(IDM)：10A

单脉冲雪崩能量(EAS)：140mJ

重复雪崩能量(EAR)：5.0mJ

二极管恢复峰值(dv/dt)：3.4V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：83W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~+150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：1.5°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：62°C/W

焊接的最高引线温度(TL)：300°С

耐热等级

规格（TJ=25 °C，除非另有说明）

TO-252封装

TO-251封装

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