IRFR320参数 中文资料 规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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描述

第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安装应用。 功耗水平高达1.5W在典型的表面贴装应用中是可能的。

IRFR320场效应管封装:TO-252,TO-251

绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）

漏源电压(VDSS)：400V

栅源电压(VGSS)：±20V

雪崩电流(IAR)：3.1A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：3.1A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：2.0A

漏极电流-脉冲(IDM)：12A

单脉冲雪崩能量(EAS)：160mJ

重复雪崩能量(EAR)：4.2mJ

二极管恢复峰值(dv/dt)：4.0V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：42W

功耗(TC=100°C)(PD)：2.5W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~+150°С

热阻-结到外壳(RθJC)：°C/W

热阻-结到环境(RθJA)：°C/W

焊接的最高引线温度(TL)：260°С

封装规格如下:

〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商，主营各类贴片与直插，二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥，IC(集成电路)；参数达标，质量保障，工厂直销(价省20%)，免费送样，选型替代，技术支持，专业售后，如需了解产品详情或最新报价，欢迎咨询官网在线客服。

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