IRF3205ZPBF中文资料 数据手册 数据表(PDF)

PD - 95129A

IRF3205ZPbF

IRF3205ZSPbF

IRF3205ZLPbF

特征

先进工艺技术

超低导通电阻

175°C工作温度

快速切换

重复性崩落允许达到最大值

无铅

描述

该功率MOSFET采用了最新的

处理技术达到极低

每个硅面积的导通电阻。 附加的功能

该设计的工作温度为175°C

温度高，切换速度快且改善

重复雪崩等级。 这些功能相结合

使这个设计非常有效，

可靠的装置，可广泛用于

应用程序。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍。