IRF3205 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
IRF3205(110A,55V N沟道场效应晶体管)
品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
参数\型号 | IRF3205 | ||
极性 | N | ||
ID(A) | 110 | ||
VDSS(V) | 55 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 0.008 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
VGS(th):(V) | 2~4 | ||
Gfs(min):(S) | 44 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | 25 | ||
Gfs(min):Io(A) | 62 | ||
封装 | TO-220 |
概述:
壹芯IRF3205是一款三端硅器件,具有110A的电流传导能力、快速的开关速度、低通态电阻、55V的额定击穿电压和最大阈值电压为4伏。它们被设计为一种极其高效和可靠的设备,可用于各种应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
一般特征:
· RDS(ON)=0.010Q@ Ves=10V
· UItra低栅极电荷(最大150nC)
· 低反向传输电容(CRss=210pF典型值)
· 快速切换能力
·100%雪崩能量规定
· 改进的dv/dt能力
·175C工作温度
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