HY3010D替代原装DH012TG场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微

HY3010D(N沟道增强型场效应晶体管)；HY3010D场效应管参数；HY3010D场效应管封装引脚图；HY3010D场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：60A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

100V/60A

RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=10V

100% 雪崩测试

可靠且坚固

提供无卤和绿色设备

(符合RoHS)

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压VDSS：100V

栅源电压VGSS：±25V

最高结温TJ：175°C

储存温度范围TSTG：-55to175°C

源电流-连续（体二极管）IS Tc=25°C：60A

安装在大型散热器上

IDM 脉冲漏极电流 * Tc=25°C：228A

ID 持续漏极电流 Tc=25°C：60A

ID 持续漏极电流 Tc=100°C：45A

PD 最大功耗 Tc=25°C：65W

PD 最大功耗 Tc=100°C：33W

RqJC 热阻，结到壳：2.3°C/W

RqJA 热阻，结到环境 **：110°C/W

EAS 单脉冲雪崩能量 *** L=0.5mH：355mJ

注：*重复额定值；脉冲宽度受最大结温限制。

**表面安装在 1in2 FR-4 板上。

***受TJmax限制，起始TJ=25°C，L=0.5mH，VDS=80V，VGS=10V

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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