壹芯微 MOS(场效应管) HY3010D N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装

HY3010D场效应管参数及代换,HY3010D封装引脚图,HY3010D中文资料规格书下载

HY3010D.pdf 规格书查看下载

HY3010D场效应管参数如下：

极性：NPN

Drain-Source Voltage漏源电压 V_DSS：100V

Gate Source Voltage栅源电压 V_GSS：±25V

Continuous Drain Current漏极电流连续(T_C+25°C) I_D：60A

Continuous Drain Current漏极电流连续(T_C+100°C) I_D：45A

Power Dissipation功耗(T_C+25°C) P_D：65W

Power Dissipation功耗(T_C+100°C) P_D：33W

Maximum Junction Temperature最高结温 T_J：175°C

Storage Temperature Range储存温度 T_STG：-55~175°C

如需了解产品报价或详细信息，欢迎QQ咨询或在线留言 

【壹芯微】半导体功率器件制造厂商，专业研发生产与销售：二极管/三极管/MOS场效应管/桥堆等，20年生产经验，始终坚信质量就是生命，除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制产品选型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，如需咨询产品或遇到需要帮助解决的问题，欢迎咨询官网在线客服，或留言并留下联系方式，我们将为您转接销售业务或工程师为您解答。

销售业务：13534146615(黄先生)

QQ：2881579535