HY1910D场效应管参数中文资料PDF(选型替代DH010TG) - 壹芯微

HY1910D(N沟道增强型场效应晶体管)；HY1910D场效应管参数；HY1910D场效应管封装引脚图；HY3010D场效应管中文资料规格书(PDF)；

电流(ID)：67A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252

产品概要

100V/67A

RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=10V

RDS(ON)=12mΩ(典型值)@VGS=4.5V

100% 雪崩测试

可靠且坚固

提供无卤和绿色设备

(符合 RoHS)

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

漏源电压 VDSS：100V

栅源电压 VGSS：±20V

最高结温TJ：175°C

储存温度范围 TSTG：-55to175°C

源电流-连续（体二极管）Tc=25°C IS：67A

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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