HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微
HFD5N40中文参数,HFD5N40封装引脚图,HFD5N40数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)
特性
· 原创新设计
· 卓越的雪崩坚固技术
· 强大的栅极氧化技术
· 极低的固有电容
· 优良的开关特性
· 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值)
· 扩展安全操作区
· 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V
· 100% 雪崩测试
绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)
漏源电压(VDSS):400V
栅源电压(VGSS):±30V
雪崩电流(IAR):3.4A
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):3.4A
漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):2.15A
漏极电流-脉冲(IDM):13.6A
单脉冲雪崩能量(EAS):510mJ
重复雪崩能量(EAR):4.5mJ
二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V/ns
功耗(TC=25°C)(PD):2.5W
功耗(TC=25°C以上)(PD):0.36W
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С
热阻-结到外壳(RθJC):2.78°C/W
热阻-结到环境(RθJA)*:50°C/W
热阻-结到环境(RθJA):110°C/W
焊接的最高引线温度(TL):300°С
绝对最大额定值
电气特性
TO-252封装
TO-251封装
〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成电路);参数达标,质量保障,工厂直销(价省20%),免费送样,选型替代,技术支持,专业售后,如需了解产品详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服。
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