功率MOS管参数-Vdss的温度特性详情解析

功率MOS管参数-Vdss温度特性分析

由图可知MOSFET-Vdss耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加，即呈现正温度系数呢？

这是半导体硅材料的特性所决定的！MOS管是单子导电机理！载流子只有电子，温度升高，沟道电阻增加，电子迁移减少，电流变小！故耐压会增加！MOS管是单子导电机理！载流子只有电子，沟道夹断，电子无法通过沟道导通，单外延层中低参杂PN结中的电子迁移很小，温度升高，这种飘移电流变小！故其反向截止的损耗减小，雪崩能量增加，耐压也增加！当然在这里要做一下分类，其实半导体材料在温度升高时，其内能是增加的，即电子的活性是增加的，单就PN结在反向截止是存在一个耗尽区，这个耗尽区的宽度和载流子的活性决定了耐压！这个耐压和参杂程度，PN界面形状，界面面积都有关！所以不同的参杂程度，不同的界面形状，界面面积就可以造就不同耐压，不同电流，不同性能的器件，如二极管，稳压管，包括MOS管，仅就MOS管，其不同的界面形状就造就了平面管，沟槽管，超深工艺的超极管！功率MOS管参数

为什么二极管的反向耐压是随温度变高而降低了，MOSFET-Vdss耐压是温度升高而增加呢？

两种器件的导电机理是不一样的！二极管是双子导电，是空穴和电子同时迁移产生电流！二极管的反向漏电流是随温度上升而增加的！故温度越高反向漏电流越大，损耗迅速增加最后雪崩击穿！MOS管是单子导电机理！载流子只有电子，温度升高，沟道电阻增加，电子迁移减少，电流变小！故耐压会增加！故双极型器件（双子载流）的反向漏电流要比MOS型器件大！

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