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2021-11-12 浏览：-FQD1N80场效应管参数代换,FQD1N80规格书下载,MOS管生产厂家
FQD1N80场效应管参数及代换 (800V,1A) FQD1N80引脚图 FQD1N80中文资料规格书(PDF)
FQD1N80.pdf 规格书下载
FQD1N80详细参数如下
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 800 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
| 雪崩电流 | IAR | 1.0 | A |
| 栅极-源极电压 | ID | 1.0 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 4.0 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 90 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | 4.5 | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 4.0 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 45 | W |
| 功耗,25°C 以上降额 | 0.36 | W/°C | |
| 工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~+150 | °С |
| 焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °C |
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