结型场效应晶体管可以提供非常低的输入电流，当他们在一个阶段使用的输入运算放大器的环境温度小于约 70'C。然而，弥漫在同一芯片上的高品质的FET 的放大器，因为它是没有简单的事情，有没有单片FET 放大器现已上市 。尽管如此，与单片电路一起使用分离式FET对创造一个良好的场效应管 放大器是可能的 。

下面的电路图中，有一个匹配的场效应管作为摆在前面的综合的源追随者 对运算放大器连接。

复合电路的增益大致相同集成电路本身和团结的增益与30 pF的电容是补偿 。该电路叶虽然它的工作原理以及一个求和放大器要求高共模抑制的应用所需的东西。这是为什么发生的原因，因为电阻器的电流源使用和在此FET，因为良好的共模抑制 。

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