FDD8870(MOS场效应管) FDD8870参数中文资料 - 壹芯微

FDD8870场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：30V；电流(ID)：160A；封装(Pageke)：TO-252；

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FDD8870绝对最大额定参数

V_DSS 漏源电压 30 V

V_GS 栅源电压 ±20 V

I_D 漏极电流连续 (T_C=25°C,V_GS=10V) (注 1) 160 A

I_D 连续 (T_C=25°C,V_GS=4.5V)(注 1) 150 A

I_D 连续（T_amb=25°C，V_GS=10V），R_θJA=52°C/W 21 A

I_D 脉冲图 4 A

E_AS 单脉冲雪崩能量(注 2) 690 mJ

P_D 功耗 160 W

25°C 以上降额 1.07 W/°C

T_J、T_STG 操作和储存温度 -55 至 175 °C

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