FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微

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电流(ID)：145A，电压(VDSS)：40V，封装形式：TO252

产品概要

典型RDS(on)=4mW，VGS=10V，ID=50A

Typ Qg(10)=89nC，VGS=10V，ID=50A

低米勒电荷

低Qrr体二极管

UIS能力（单脉冲/重复脉冲）

符合RoHS

符合AECQ101

绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）

VDSS漏源电压：40V

VGS栅源电压：±20V

ID漏极电流连续 (VGS=10V)：50A

ID脉冲 图：4A

EAS单脉冲雪崩能量（注 1：535mJ

PD功耗：153W

25°C以上PD降额：1.02W/°C

TJ、TSTG操作和储存温度：-55至+175 °C

RqJC结到外壳的热阻：0.98 °C/W

RqJA热阻结到环境，1in2铜焊盘面积：52 °C/W

壹芯微科技（Yixin）国内知名功率半导体制造商。主要生产各式贴片/直插，肖特基二极管、TVS二极管、整流二极管、快恢复、低压降、场效应管(MOSFET)、可控硅、三端稳压管、IC集成电路、桥堆。引进大量先进的晶体管选型封装测试全自动化设备、配备高标准可靠性测试实验室等，对每一批产品质量严控把关；壹芯微首席工程师曾多年服务于台湾强茂，有着丰富的研发生产经验，为各行业应用提供完美的解决方案与技术支持。如需报价或了解更多，欢迎咨询官网在线客服或联系以下

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